参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPB027N10N3 G
说明	通用MOSFET   D2PAK(TO-263)
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	150 [库存更新时间：2025-04-16]
RoHS compliant	yes
Moisture Level	1 Ohms
连续漏极电流Id	120A
QG (typ @10V)	155.0 nC
封装/外壳	D2PAK (TO-263)
Rth	0.5K/W
QG	155.0nC
工作温度	-55°C~175°C
Budgetary Price €€/1k	1.91
Ptot max	300.0W
Ptot max	300.0 W
FET类型	N-Channel
IDpuls max	480.0 A
漏源极电压Vds	100V
Rds On(Max)@Id,Vgs	2.7mΩ
Coss	1940.0pF
Ciss	11100.0 pF
栅极电压Vgs	2.7V,2V,3.5V